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[发明专利]外延生长设备-CN201510988437.5在审
发明人：黄小辉;杨斌;滕龙;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，包括：反应室、控制装置、测量装置；其中，控制装置分别与测量装置和反应室连接；待生长外延片设置在反应室内部的生长载体上；测量装置设置在反应室的窗口的上方；测量装置，用于实时测量待生长外延片的当前量子阱层的温度和波长，并将当前量子阱层的温度和波长发送给控制装置；控制装置，用于控制反应室生长待生长外延片，并根据当前量子阱层的温度和波长，以及预设反应参数，调整反应室在生长待生长外延片的下一量子阱层时的温度；预设反应参数包括待生长外延片的目标波长本发明提供的外延生长设备，能够提高外延片的成品率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备-CN201610353583.5在审
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，所述外延生长设备包括一反应室，所述反应室的内表面设有反射层，所述反射层上设有保护层。本发明提供的外延生长设备，通过在反应室内表面的反射层上设置保护层，从而延缓所述反射层的表面在高温下的形变，因此延长了所述反射层的使用寿命，降低了生产成本，提高了生产效率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备-CN201210444086.8有效
发明人：董志清 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。
外延生长设备

[外观设计]外延生长设备-CN202130516299.7有效
发明人：石磊;唐超凡;王娟;刘柱;万胜强;李勇;王韬;鲁彤 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：外延生长设备。2.本外观设计产品的用途：用于进行单晶硅外延生长。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备和外延生长方法-CN201910979234.8在审
发明人：费璐;林志鑫;曹共柏;王华杰;董晨华;季文明 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
进气口外延层刻蚀气体晶片外延生长设备外延生长进入腔进气厚度均一性反应气体外延过程外延晶片平直度晶向腔体去除沉积生长

[发明专利]用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备-CN202010373469.5在审
发明人：邓晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备，该预热环包括上环部和下环部，上环部与下环部同轴自上而下叠置，上环部的外径与下环部的外径相等，上环部的内径小于下环部的内径，上环部的一侧设有排气通道
用于外延生长设备预热以及

[发明专利]外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备-CN202211060377.7在审
发明人：夏俊涵;邓晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备，包括：腔体以及设置在腔体中的基座和预热环，其中，腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；预热环环绕在基座与腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置
外延生长设备工艺

[实用新型]用于外延生长设备的预热环及外延生长设备-CN202020237769.6有效
发明人：夏振军;孙伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于外延生长设备的预热环及外延生长设备，预热环包括环形主体，环形主体具有上环面和下环面，上环面和下环面互相平行；上环面上设有向上凸出且成对的凸台，成对的凸台均沿环形主体的圆周方向延伸且相对于环形主体的轴线对称设置通过在上环面上设置沿环形主体圆周方向延伸地一对凸台，凸台的上表面高于上环面，促使预热环两侧的工艺气流向凸台两侧的上环面扩散流动，气流左右两侧空间变大，打破原有的气流平衡，晶圆边缘气体流速加快，涡流减小，弱化边界效应，从而达到改善晶圆的外延层的边缘厚度均匀性
用于外延生长设备预热

[实用新型]一种外延生长设备及外延生长设备系统-CN202320855823.7有效
发明人：三重野文健 -专利权人：顾赢速科技（合肥）有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请提供一种外延生长设备及外延生长设备系统，所述外延生长设备包括：反应腔，所述反应腔包括顶部、底部和侧部以及由所述顶部、底部和侧部连接后包围构成的腔体；加热底座，设置于所述腔体中，用于承载并加热晶圆；本申请提供一种外延生长设备及外延生长设备系统，可以提高生产效率以及晶圆表面外延生长的均匀性。
一种外延生长设备系统

[发明专利]外延生长方法和设备-CN202110607902.1在审
发明人：曹建平;陈建纲;张健;石海峰 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造，具体涉及外延生长方法和设备，外延生长方法为在外延生长过程中，从反应气出口侧提供进入冷却腔的冷却气。外延生长设备中包括冷却气进口，冷却气进口分布于冷却腔上靠近反应气出口侧的位置上。本发明的外延生长方法以及外延生长设备能够在300mm的硅片上一次完成50um厚膜外延的生长，且不会在反应腔上产生覆盖层。
外延生长方法设备

[发明专利]硅片外延生长支撑装置及硅片外延生长设备-CN202211615974.1在审
发明人：张奔;王力;梁鹏欢;张远超 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供一种硅片外延生长支撑装置及外延生长设备，该装置包括：基座，基座包括用于承载硅片的承载本体、及设置于承载本体下方的承托件，承托件设有第一通孔；及设置于基座下方的基座支撑架，基座支撑架包括支撑柱，本公开提供的硅片外延生长支撑装置及外延生长设备能够改善硅片电阻率均一性问题。
硅片外延生长支撑装置设备

[发明专利]提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法-CN202111638656.2在审
发明人：陈张笑雄;王群;陶羽宇;陆香花;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法，属于外延生长技术领域。在MOCVD外延设备的安装壳体内包括第一生长反应腔与第一外延托盘的反应腔部件可以保证衬底上外延材料的正常生长。增加的处理腔部件、第一隔离部件与第一转移部件，衬底的处理位于同一MOCVD外延设备，不用在设备与设备之间转移，也不用长距离移动衬底。提高衬底上生长得到的外延层的质量以及外延片整体的制备效率。并且控制第一生长反应腔的最大高度小于外延材料处理腔的最大高度，避免第一生长反应腔内的材料进入外延材料处理腔内污染衬底与外延材料，有效提高得到的外延片的质量。
提高制备效率 mocvd 外延设备及其使用方法

[发明专利]用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备-CN202010614408.3有效
发明人：夏俊涵;孙中岳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备，该进排气构件包括环形主体，沿环形主体的周向侧壁设置的进气通道和排气通道，进气通道和排气通道的对称面为同一平面，且环形主体的轴线位于对称面内；进气通道和排气通道设置于环形主体上，消除现有技术中分体式进排气口的装配间隙，减少腔室边缘区域的气体紊流，改善晶圆表面生长的外延层厚度均匀性；同时气体从进气通道至排气通道的流动方式，扩大气流的流动空间，减少边缘紊流区对晶圆上方气流场的影响
用于外延生长设备排气构件

[发明专利]外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法-CN201711463957.X在审
发明人：向光胜;叶青贤;喻海波;蔡云聪 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法，属于半导体技术领域。该生长设备包括反应腔室和检测装置，检测装置包括光源模块，用于提供照射到生长中的外延层上的紫外光；图像获取模块，用于在至少一个生长阶段结束时获取紫外光照射在外延层上所产生的待测图像；处理模块，用于根据待测图像的灰度判断生长至生长阶段结束时的外延层是否存在缺陷，通过获取当前生长阶段紫外线照射在外延层上所产生的待测图像，再根据待测图像的灰度判断外延层是否存在缺陷，可以在外延层生长出现缺陷时及时反馈外延层生长过程中形成的缺陷，便于操作人员及时对外延层的生长做出调整，有利于减少外延层的内部缺陷，提高外延片的良率。
外延层待测图像生长过程生长阶段生长设备生长灰度判断检测装置缺陷检测半导体技术领域图像获取模块紫外光照射紫外线照射处理模块反应腔室光源模块内部缺陷紫外光外延片良率照射反馈

[发明专利]外延生长方法及外延硅片-CN202211677623.3在审
发明人：张远超;王力;梁鹏欢;张奔 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
外延生长方法硅片

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